单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
HEXFET®NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 5PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）11A（Ta）37A（Ta），365A（Tc）93A（Tc）100A（Ta）100A（Tc）120A（Tc）150A（Tc）180A（Tc）200A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 150A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V1.95 毫欧 @ 50A，10V2.7 毫欧 @ 100A，10V2.88 毫欧 @ 30A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.2 毫欧 @ 50A，10V4.7 毫欧 @ 106A，10V5.6 毫欧 @ 90A，10V6 毫欧 @ 75A，10V13 毫欧 @ 11A，10V19 毫欧 @ 30A，10V185 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA3.3V @ 74µA3.5V @ 150µA3.5V @ 275µA3.8V @ 250µA3.8V @ 280µA4V @ 150µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 5 V57 nC @ 10 V62 nC @ 10 V77 nC @ 10 V117 nC @ 10 V120 nC @ 10 V170 nC @ 10 V206 nC @ 10 V211 nC @ 10 V214 nC @ 10 V215 nC @ 10 V350 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 25 V2470 pF @ 15 V5060 pF @ 50 V5100 pF @ 50 V5250 pF @ 30 V6860 pF @ 50 V8410 pF @ 50 V9575 pF @ 50 V10870 pF @ 50 V14100 pF @ 25 V14800 pF @ 50 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）3.8W（Ta），375W（Tc）48W（Tc）136W（Ta）214W（Tc）250W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICD2PAKPG-HDSOP-16-2PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8 FLPG-TO263-3TO-252AA (DPAK)TO-263（D2PAK）TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）16-PowerSOP 模块TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
22,580
现货
52,500
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±25V
2470 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Infineon Technologies
12,564
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.38646
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
4V，10V
185 毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8 FL
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Infineon Technologies
12,321
现货
1 : ¥20.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.07955
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
6V，10V
1.95 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 74µA
77 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 30 V
-
136W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Vishay Siliconix
2,846
现货
1 : ¥27.09000
剪切带（CT）
800 : ¥16.37415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
93A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
14100 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
29,576
现货
1 : ¥27.42000
剪切带（CT）
800 : ¥16.57714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
4.7 毫欧 @ 106A，10V
4V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
9575 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM70030E-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Vishay Siliconix
3,595
现货
1 : ¥28.98000
剪切带（CT）
800 : ¥17.51644
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Tc）
7.5V，10V
2.88 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
214 nC @ 10 V
±20V
10870 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
22,145
现货
1 : ¥49.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
DDPAK/TO-263-3
CSD19532KTTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
9,767
现货
1 : ¥15.93000
剪切带（CT）
50 : ¥12.59540
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
5.6 毫欧 @ 90A，10V
3.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5060 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
37,244
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.64273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
4.2 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM70040E-GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
150
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
800 : ¥14.59375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
7.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
4,416
现货
1 : ¥26.27000
剪切带（CT）
800 : ¥15.83949
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
6 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
10,044
现货
1 : ¥36.04000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.94800
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.32287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37A（Ta），365A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。