单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）3.5A（Ta）14.5A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V134 毫欧 @ 1A，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.87 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V53 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V660 pF @ 10 V4195 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）2W（Ta）3.1W（Ta），29W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7407
MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
109,224
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.62521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14.5A（Ta），40A（Tc）
1.8V，4.5V
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V
900mV @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±8V
4195 pF @ 10 V
-
3.1W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
370,263
现货
1,101,000
工厂
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
114,931
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99527
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4V，10V
134 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V，-20V
660 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。