FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Micro Commercial CoVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 20A，10V70 毫欧 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5nC @ 4.5V160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880pF @ 6V6200pF @ 15V
功率 - 最大值
1.4W46W
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
DFN2020-6LPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
12,796
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.83005
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
60A
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
160nC @ 10V
6200pF @ 15V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
MCMNP2065A-TP
MCM2301-TP
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN
Micro Commercial Co
7,090
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
20V
3.8A
70 毫欧 @ 1.9A，4.5V
900mV @ 250µA
14.5nC @ 4.5V
880pF @ 6V
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
DFN2020-6L
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。