单 FET，MOSFET

结果 : 18
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.EPCInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DUAL COOL®Dual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™ 5PowerTrench®TrenchFET® Gen VU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta），13A（Tc）10A（Ta），45A（Tc）10.7A（Ta），78A（Tc）11.5A（Ta），152A（Tc）12.2A（Ta），85A（Tc）15A（Ta），99A（Tc）18A（Ta）19A（Ta），135A（Tc）21A（Ta），190A（Tc）22A（Ta），174A（Tc）23A（Ta），165A（Tc）24A（Ta），162A（Tc）29.6A（Ta），116A（Tc）30.8A（Ta），90.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V6V，10V7.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，5V2.95 毫欧 @ 24A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V4.3 毫欧 @ 44A，10V4.45 毫欧 @ 95A，10V6.2 毫欧 @ 20A，10V6.4 毫欧 @ 69A，10V6.5 毫欧 @ 15A，10V7.4 毫欧 @ 50A，10V7.5 毫欧 @ 100A，10V7.9 毫欧 @ 20A，10V8.8 毫欧 @ 45A，10V9 毫欧 @ 32A，10V11.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 11mA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 300µA4.3V @ 1mA4，5V @ 379µA4.5V @ 194µA4.5V @ 250µA4.5V @ 521µA4.6V @ 136µA4.6V @ 243µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.6 nC @ 10 V21 nC @ 5 V32 nC @ 10 V42 nC @ 10 V44 nC @ 10 V46 nC @ 10 V50 nC @ 10 V52 nC @ 10 V58 nC @ 10 V63 nC @ 10 V71 nC @ 10 V79 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
6V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 75 V2045 pF @ 75 V2856 pF @ 50 V2900 pF @ 75 V3592 pF @ 75 V3600 pF @ 75 V3740 pF @ 75 V4000 pF @ 75 V4480 pF @ 75 V4815 pF @ 75 V5400 pF @ 75 V6460 pF @ 75 V6514 pF @ 75 V7300 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），210W（Tc）1.6W（Ta），57W（Tc）2.1W（Ta），375W（Tc）2.3W（Ta），62W（Tc）2.7W（Ta），113W（Tc）2.7W（Ta），132W（Tc）2.7W（Ta），147W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）3.8W（Ta），319W（Tc）4.9W（Ta），245W（Tc）5W（Ta），292W（Tc）5W（Ta），293W（Tc）7.5W（Ta），150W（Tc）7.9W（Ta），122W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN（3x5）8-DFN（5x6.15）8-DFNW（8.3x8.4）8-Dual Cool™888-PQFN（5x6）8-SOP Advance（5x5）8-TDFNW（8.3x8.4）PG-HDSOP-16-2PG-TSON-8-3Power33PowerPAK® SO-8DCTO-220-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN16-PowerSOP 模块PowerPAK® SO-8TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
12,794
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.74572
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
18A（Ta）
10V
33 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 300µA
10.6 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 75 V
-
1.6W（Ta），57W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
Power33
FDMC86259P
MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
onsemi
4,609
现货
1 : ¥22.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.14902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3.2A（Ta），13A（Tc）
6V，10V
107 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±25V
2045 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），62W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
TO-263 (D2Pak)
AOB2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,587
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
800 : ¥19.90056
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
11.5A（Ta），152A（Tc）
6V，10V
6.2 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
2.1W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-PQFN
FDMS86255
MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
onsemi
8,647
现货
33,000
工厂
1 : ¥34.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.67378
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
10A（Ta），45A（Tc）
6V，10V
12.4 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
4480 pF @ 75 V
-
2.7W（Ta），113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
BSC0805LSATMA1
BSC074N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Infineon Technologies
3,641
现货
1 : ¥39.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.61061
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
114A（Tc）
8V，10V
7.4 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 136µA
52 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 75 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMT800100DC
MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
onsemi
4,763
现货
1 : ¥66.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥35.30999
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
24A（Ta），162A（Tc）
6V，10V
2.95 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±20V
7835 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
10,781
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.61915
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
64A（Tc）
8V，10V
9 毫欧 @ 32A，10V
4.3V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
960mW（Ta），210W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
FDMS8D8N15C
FDMS8D8N15C
MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
onsemi
2,140
现货
9,000
工厂
1 : ¥28.98000
剪切带（CT）
3,000 : ¥14.10020
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
12.2A（Ta），85A（Tc）
8V，10V
8.8 毫欧 @ 45A，10V
4.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 75 V
-
2.7W（Ta），132W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-220-3
FDP075N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
onsemi
614
现货
1 : ¥35.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
130A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 75 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8-DFN
NTMFSC4D2N10MC
MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
onsemi
2,418
现货
1 : ¥29.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥14.36653
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
29.6A（Ta），116A（Tc）
-
4.3 毫欧 @ 44A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2856 pF @ 50 V
-
7.9W（Ta），122W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6.15）
8-PowerVDFN
8-TDFNW
NTMTSC4D3N15MC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
onsemi
603
现货
1 : ¥51.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.84916
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
22A（Ta），174A（Tc）
8V，10V
4.45 毫欧 @ 95A，10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W（Ta），293W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
8-PQFN
NTMFS011N15MC
MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
onsemi
2,638
现货
33,000
工厂
1 : ¥68.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥57.32803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
10.7A（Ta），78A（Tc）
8V，10V
11.5 毫欧 @ 35A，10V
4.5V @ 194µA
46 nC @ 10 V
±20V
3592 pF @ 75 V
-
2.7W（Ta），147W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-TDFNW
NVMTSC4D3N15MC
PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
onsemi
2,905
现货
1 : ¥49.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.03943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
23A（Ta），165A（Tc）
10V
4.45 毫欧 @ 95A，10V
4.5V @ 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W（Ta），292W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
8-TDFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
PowerPAK_SO-8DC_Top
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥23.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.63250
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
30.8A（Ta），90.9A（Tc）
7.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3740 pF @ 75 V
-
7.5W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
0
现货
查看交期
1 : ¥61.98000
剪切带（CT）
1,800 : ¥35.16059
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 243µA
93 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
8-TDFN
NTMTS6D0N15MC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
onsemi
0
现货
6,000
工厂
查看交期
1 : ¥49.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥23.96456
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19A（Ta），135A（Tc）
8V，10V
6.4 毫欧 @ 69A，10V
4，5V @ 379µA
58 nC @ 10 V
±20V
4815 pF @ 75 V
-
4.9W（Ta），245W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMT800150DC-22897
FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
onsemi
0
现货
1 : ¥59.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥31.57266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
15A（Ta），99A（Tc）
6V，10V
6.5 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
8205 pF @ 75 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
0
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥34.61456
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET（氮化镓）
150 V
80A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
显示
/ 18

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。