单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）3A（Ta）20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V35 毫欧 @ 3A，4.5V132 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
105 pF @ 15 V700 pF @ 10 V7540 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），500mW（Tc）500mW（Ta）2.5W（Ta）
供应商器件封装
8-SOICSC-70-3SOT-23-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,267
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
FDN339AN
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
onsemi
34,492
现货
138,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.31600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
35 毫欧 @ 3A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
19,451
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.79035
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。