单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial Co
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Tj）9.5A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 12A，10V6 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V1949 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW2.2W（Ta），30W（Tc）
供应商器件封装
POWERDI3333-8SOT-23
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
BSS123K-TP
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Micro Commercial Co
17,148
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 250mA，10V
2.5V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMT8012LFG-7
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Diodes Incorporated
4,930
现货
8,000
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.04100
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
9.5A（Ta），35A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1949 pF @ 40 V
-
2.2W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。