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市场产品
单 FET，MOSFET
结果 : 5
制造商
系列
产品状态
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率耗散（最大值）
供应商器件封装
库存选项
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市场产品
5结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1,135 现货 | 1 : ¥92.69000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 600 V | 50A（Tc） | 10V | 60 毫欧 @ 25A，10V | 5V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±25V | 4100 pF @ 100 V | - | 360W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
 | 615 现货 | 1 : ¥110.67000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 650 V | 68.5A（Tc） | 10V | 41 毫欧 @ 33.1A，10V | 4.5V @ 3.3mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 8400 pF @ 100 V | - | 500W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO247-3 | TO-247-3 | ||
| 2,262 现货 | 1 : ¥125.61000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 650 V | 47A（Tc） | 10V | 70 毫欧 @ 30A，10V | 3.9V @ 2.7mA | 320 nC @ 10 V | ±20V | 6800 pF @ 25 V | - | 415W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO247-3-1 | TO-247-3 | ||
| 1,763 现货 | 1 : ¥146.46000 管件 | 管件 | 不适用于新设计 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 650 V | 60A（Tc） | 10V | 45 毫欧 @ 44A，10V | 3.5V @ 3mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 6800 pF @ 100 V | - | 431W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO247-3-1 | TO-247-3 | ||
| 0 现货 | 3,120 : ¥45.01675 管件 | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 700 V | 43.3A（Tc） | 10V | 80 毫欧 @ 17.6A，10V | 4.5V @ 1.76mA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 5030 pF @ 100 V | - | 391W（Tc） | -55°C ~ 150°C（TJ） | 通孔 | PG-TO247-3-1 | TO-247-3 |
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