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VT6M1T2CR 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:
类似
VT6M1T2CR | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | VT6M1T2CRTR-ND - 卷带（TR） VT6M1T2CRCT-ND - 剪切带（CT） VT6M1T2CRDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | VT6M1T2CR |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 100mA 120mW 表面贴装型 VMT6 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | VT6M1T2CR 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Rohm Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 最后售卖 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | N 和 P 沟道 | |
FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 | |
漏源电压（Vdss） | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7.1pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 120mW | |
工作温度 | 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 | |
供应商器件封装 | VMT6 | |
基本产品编号 |
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