单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V50 V60 V150 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）500mA（Ta）2.6A（Ta）3A（Ta）21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V5V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V52 毫欧 @ 18A，10V110 毫欧 @ 1.5A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V5.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.8V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V17 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V200 pF @ 25 V455 pF @ 25 V890 pF @ 75 V1138 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）500mW（Ta）1.3W（Ta）2.5W（Ta）57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8SOT-223-3SOT-223（TO-261）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
93,556
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
52,606
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NTF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
onsemi
5,464
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.21865
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
110 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
455 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
8-Power TDFN
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,329
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.24529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Tc）
8V，10V
52 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
SOT-223-3
ZVN4424GTA
MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
Diodes Incorporated
12,316
现货
222,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.70332
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
5.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。