单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVIIIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）6A（Ta）45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 22.5A，10V36 毫欧 @ 5A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 500µA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V550 pF @ 10 V2230 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）700mW（Ta），42W（Tc）1.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
31,948
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
82,981
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
9,008
现货
1 : ¥14.04000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.59829
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45A（Tc）
10V
2.2 毫欧 @ 22.5A，10V
2.3V @ 500µA
34 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
700mW（Ta），42W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。