单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Ta）10A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.3 毫欧 @ 20A，10V48 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
830 pF @ 15 V1700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）2.1W（Ta），66W（Tc）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
856,269
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56342
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
8-TSDSON
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
52,384
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.90879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 40 V
-
2.1W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。