单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Ta）12A（Tc）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 20A，10V61 毫欧 @ 5A，10V70 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 33µA2.5V @ 25µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 30 V870 pF @ 10 V2500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），63W（Tc）2.5W（Tc）14.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-SOPG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
15,174
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.42345
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.6A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 4.6A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-HSMT
RQ3L050GNTB
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
10,986
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.49318
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
4.5V，10V
61 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 25µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
300 pF @ 30 V
-
14.8W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
7,087
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.42356
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 33µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。