单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta），235A（Tc）90A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 50A，10V3.3 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 23µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2145 pF @ 25 V6660 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），167W（Tc）62W（Tc）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TDSON-8-34
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-34
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
Infineon Technologies
8,078
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.81702
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 45A，10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±16V
2145 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C612NLT1G
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
onsemi
2,304
现货
90,000
工厂
1 : ¥21.59000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.22958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Ta），235A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。