单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.95V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 3A，4.5V600 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
600mV @ 250µA（最小）3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.5 nC @ 4.5 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 15 V790 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-TO252-3-313
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
STS6NF20V
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STMicroelectronics
3,491
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48609
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
1.95V，4.5V
40 毫欧 @ 3A，4.5V
600mV @ 250µA（最小）
11.5 nC @ 4.5 V
±12V
460 pF @ 15 V
-
2.5W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
4,478
现货
1 : ¥20.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.08064
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7.3A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 4.6A，10V
3.9V @ 350µA
27 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。