单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
MDmesh™ II PlusSuperFET™
产品状态
不适用于新设计在售
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
580 pF @ 100 V1490 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
110W(Tc)125W(Tc)
供应商器件封装
TO-220TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STMicroelectronics
757
现货
1 : ¥10.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
FCP11N60F
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
onsemi
1,563
现货
1,000
工厂
1 : ¥25.86000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5.5A,10V
5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1490 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。