单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-STripFET™ F6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）7.2A（Ta）10A（Tc）28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 3A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V77 毫欧 @ 4.2A，10V160 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA1.8V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.4 nC @ 10 V24 nC @ 10 V33.7 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 48 V864 pF @ 15 V1643 pF @ 20 V4600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）810mW（Ta）5.2W（Ta），83W（Tc）35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPOWERDI3333-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,442
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.42912
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMP3130LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Diodes Incorporated
42,162
现货
363,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
2.5V，10V
77 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±12V
864 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP4025SFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
4,589
现货
282,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80575
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD15P6F6AG
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
10,699
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.07861
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W（Tc）
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。