单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90mA（Ta）115mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）300mA（Ta）380mA（Ta）400mA（Ta）470mA（Ta）500mA（Ta）1.2A（Ta）1.4A（Ta）3.6A（Ta）6.5A（Ta）6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V3V，5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.5 毫欧 @ 9A，10V21毫欧 @ 4.5A，4.5V56 毫欧 @ 3.6A，10V90 毫欧 @ 9A，10V220 毫欧 @ 910mA，10V250 毫欧 @ 1.8A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V2 欧姆 @ 500mA，10V2.5 欧姆 @ 500mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V5 欧姆 @ 200mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 25µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 5 V3.2 nC @ 10 V3.9 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 10 V13 nC @ 5 V15 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V12.9 pF @ 12 V30 pF @ 25 V35 pF @ 25 V40 pF @ 10 V50 pF @ 18 V50 pF @ 25 V150 pF @ 25 V166 pF @ 40 V266 pF @ 25 V500 pF @ 8 V920 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）320mW（Ta）330mW（Ta）350mW（Ta）370mW（Ta）390mW（Ta）625mW（Ta）1.25W1.3W（Ta）70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICMicro3™/SOT-23SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-220AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
371,928
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
332,991
现货
57,501,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
437,680
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
290,582
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Diodes Incorporated
41,016
现货
186,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08468
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
470mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74 nC @ 5 V
±12V
12.9 pF @ 12 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
34,764
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06410
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 3.6A，10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXM61N03FTA
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
134,017
现货
780,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,612
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
36,179
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
90 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
265,733
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI2312B-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
2,516
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.8A（Ta）
2.5V，4.5V
21毫欧 @ 4.5A，4.5V
900mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±10V
500 pF @ 8 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF170-7-F
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Diodes Incorporated
231,987
现货
2,241,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP3306FTA
MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Diodes Incorporated
27,387
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90mA（Ta）
10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 18 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN4106FTA
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
5,265
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
5V，10V
2.5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
35 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Vishay Siliconix
6,949
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.75429
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.5A（Ta）
4.5V，10V
18.5 毫欧 @ 9A，10V
1.8V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±25V
-
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。