单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Littelfuse Inc.Micro Commercial CoVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-C2M™PolarTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Tj）1.4A（Tc）5.3A（Tc）29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 15A，10V1.4 欧姆 @ 2A，20V6 欧姆 @ 250mA，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 500µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 10 V13 nC @ 20 V195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V200 pF @ 1000 V6000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW3.5W（Ta），7.8W（Tc）78W（Tc）-
供应商器件封装
8-SOICD2PAK（7-Lead）SOT-23TO-252AA
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-7（直引线）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Vishay Siliconix
83,270
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.69257
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
29A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
195 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT 23
BSS123K-TP
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Micro Commercial Co
15,748
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 250mA，10V
2.5V @ 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-3
IXTY1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Littelfuse Inc.
326
现货
490
工厂
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
1.4A（Tc）
10V
-
4.5V @ 100µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
C3M0065090J
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Wolfspeed, Inc.
92
现货
1 : ¥87.60000
散装
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.3A（Tc）
20V
1.4 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V，-10V
200 pF @ 1000 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7（直引线）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。