单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-DTMOSIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 1.7A，4.5V1.05 欧姆 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）3.5V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.93 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
258 pF @ 15 V390 pF @ 300 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN3B01FTA
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
25,553
现货
501,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43357
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.7A（Ta）
2.5V，4.5V
150 毫欧 @ 1.7A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
2.93 nC @ 4.5 V
±12V
258 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2,008
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.49294
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
5.8A（Ta）
10V
1.05 欧姆 @ 2.9A，10V
3.5V @ 180µA
11 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。