单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™ 6TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA200mA（Ta）3.8A（Ta）29A（Ta），331A（Tc）43A（Ta），292A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 43A，10V1.7 毫欧 @ 150A，10V3.2 毫欧 @ 10A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.6V @ 275µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V1.8 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V80 nC @ 10 V141 nC @ 10 V238 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 25 V17 pF @ 10 V563 pF @ 25 V5000 pF @ 25 V11000 pF @ 60 V20170 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）350mW（Ta）1.08W（Ta）3W（Ta），395W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-Dual Cool™88PG-HSOF-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
27,547
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PQFN
FDMT80060DC
MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
onsemi
5,205
现货
1 : ¥40.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.28701
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
43A（Ta），292A（Tc）
8V，10V
1.1 毫欧 @ 43A，10V
4.5V @ 250µA
238 nC @ 10 V
±20V
20170 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
492,938
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19994
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
19,415
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40550
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ444EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,878
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.33270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
IPT012N08NF2SATMA1
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
1,740
现货
1 : ¥52.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.75456
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
29A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。