单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.3A（Ta）80A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，5V21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA2.5V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.9 nC @ 4.5 V21 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
6V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 16 V2900 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）Micro3™/SOT-23
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
460,203
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70087
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.3A（Ta）
2.5V，4.5V
21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
0
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥34.61332
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET（氮化镓）
150 V
80A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。