单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）4.6A（Tc）14A（Ta）17.6A（Ta），71.9A（Tc）21A（Ta），64A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.38 毫欧 @ 10A，10V10 毫欧 @ 18A，10V11.2毫欧 @ 10A，10V44 毫欧 @ 2A，4.5V84 毫欧 @ 14A，10V90 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 8 V22 nC @ 10 V27 nC @ 10 V105 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
118 pF @ 10 V125 pF @ 5 V917 pF @ 15 V1900 pF @ 10 V4850 pF @ 40 V5875 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）830mW3.7W（Ta），36W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）20W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
onsemi
39,709
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15620
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 1.2A，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
125 pF @ 5 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,117
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.35408
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
30A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5875 pF @ 20 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA14BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,971
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.36732
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），64A（Tc）
4.5V，10V
5.38 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
+20V，-16V
917 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
RB098BM-40FNSTL
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Rohm Semiconductor
7,787
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.24026
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta）
4V，10V
84 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
DMP2070UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
66
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86441
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Tc）
1.8V，4.5V
44 毫欧 @ 2A，4.5V
950mV @ 250µA
8.2 nC @ 8 V
±8V
118 pF @ 10 V
-
830mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK_SO-8_Single
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.16302
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17.6A（Ta），71.9A（Tc）
-
11.2毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4850 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。