单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）14A（Ta），82A（Tc）14A（Ta），84A（Tc）18A（Ta），40A（Tc）18.5A（Tc）21A（Ta），98A（Tc）24A（Ta），40A（Tc）32A（Tc）40A（Tc）74A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 20A，10V3.2 毫欧 @ 50A，10V3.9 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 20A，10V6.7 毫欧 @ 21A，10V7 毫欧 @ 40A，10V7.2 毫欧 @ 37A，10V14.6 毫欧 @ 20A，10V17 毫欧 @ 11A，10V30 毫欧 @ 16A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 10µA2.3V @ 23µA2.3V @ 250µA2.3V @ 36µA2.5V @ 120µA2.5V @ 250µA3.3V @ 36µA3.8V @ 36µA3.8V @ 50µA4.6V @ 32µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V6.6 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V25 nC @ 10 V29 nC @ 10 V34 nC @ 10 V38 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V660 pF @ 25 V950 pF @ 75 V1300 pF @ 50 V1800 pF @ 20 V2100 pF @ 40 V2500 pF @ 30 V2700 pF @ 50 V3100 pF @ 30 V3100 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），52W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），75W（Tc）2.5W（Ta），92.6W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）11.5W（Tc）52W（Tc）62.5W（Tc）69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-34PG-TSDSON-8-FLPG-WSON-8-2SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
819,267
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
40,303
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.94808
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.5A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Infineon Technologies
13,668
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.59603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），98A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Infineon Technologies
22,702
现货
1 : ¥12.15000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.77208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 23µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
73,007
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.73136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
26,399
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.26630
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
74A（Tc）
6V，10V
7.2 毫欧 @ 37A，10V
3.8V @ 36µA
29 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Infineon Technologies
11,919
现货
1 : ¥16.26000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.04851
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
32A（Tc）
8V，10V
30 毫欧 @ 16A，10V
4.6V @ 32µA
13 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 75 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,120
现货
1 : ¥21.92000
剪切带（CT）
4,000 : ¥9.86806
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），82A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TSDSON-8
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Infineon Technologies
88,830
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.06750
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
2,686
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.23400
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
3.9 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 36µA
34 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-34
8-PowerVDFN
8-PQFN
FDMS007N08LC
MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
onsemi
5,950
现货
213,000
工厂
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.26344
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
14A（Ta），84A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 21A，10V
2.5V @ 120µA
46 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），92.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。