单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-SuperMESH™
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）17A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
270 毫欧 @ 8.5A，10V340 毫欧 @ 7A，10V400 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
74 nC @ 10 V106 nC @ 10 V119 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 25 V2260 pF @ 25 V2600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
160W（Tc）190W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-3TO-247AC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
2,920
现货
1 : ¥28.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STMicroelectronics
205
现货
1 : ¥31.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
17A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 8.5A，10V
4.5V @ 100µA
119 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW15NK50Z
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
STMicroelectronics
582
现货
1 : ¥29.47000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14A（Tc）
10V
340 毫欧 @ 7A，10V
4.5V @ 100µA
106 nC @ 10 V
±30V
2260 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP450LCPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
24
现货
1 : ¥39.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±30V
2200 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。