单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™ 5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），82A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 40A，10V15 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.8V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 50 V4950 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），113W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-WSON-8-2TO-252AA
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
5,570
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC070N10NS5SCATMA1
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Infineon Technologies
18,120
现货
1 : ¥21.92000
剪切带（CT）
4,000 : ¥9.86806
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），82A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。