单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®OptiMOS™PowerTrench®STripFET™StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）57A（Tc）80A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 40A，10V4.2 毫欧 @ 80A，10V4.4 毫欧 @ 55A，10V4.8 毫欧 @ 66A，10V5 毫欧 @ 40A，10V6.9 毫欧 @ 90A，10V12 毫欧 @ 34A，10V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.7V @ 100µA4V @ 250µA4V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V56 nC @ 10 V65 nC @ 10 V80 nC @ 10 V88 nC @ 10 V90 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V1690 pF @ 25 V2600 pF @ 30 V4300 pF @ 25 V4360 pF @ 25 V4840 pF @ 40 V5450 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）79W（Tc）89W92W（Tc）110W（Tc）134W（Tc）140W（Tc）227W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKDPAKEMT3F（SOT-416FL）PG-TO252-3-11TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SC-89，SOT-490TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,405,235
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
MFG_DPAK(TO252-3)
STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STMicroelectronics
39,707
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.10989
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
5V，10V
4 毫欧 @ 40A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
51,907
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.71414
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
6.9 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 40µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR7540TRPBF
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Infineon Technologies
5,268
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.75602
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
6V，10V
4.8 毫欧 @ 66A，10V
3.7V @ 100µA
130 nC @ 10 V
±20V
4360 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 DPAK
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
onsemi
34,890
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38472
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
4840 pF @ 40 V
-
227W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD130N6F7
MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
STMicroelectronics
4,878
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.16348
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 30 V
-
134W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,828
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.57446
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 55A，10V
2.5V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5450 pF @ 30 V
-
89W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44VZSPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥9.79087
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。