单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），73A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 80A，10V5.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 23µA4V @ 53µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V66 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3200 pF @ 20 V5260 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）94W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5PG-TO263-3-2
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
53,171
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.72789
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Infineon Technologies
906
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.54101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
10V
3.3 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 53µA
66 nC @ 10 V
±20V
5260 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。