单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）119A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 50A，18V40 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
600mV @ 250µA（最小）5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.5 nC @ 4.5 V157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±12V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
460 pF @ 15 V3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）565W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 200°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICHiP247™ 长引线
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
STS6NF20V
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STMicroelectronics
3,491
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
1.95V，4.5V
40 毫欧 @ 3A，4.5V
600mV @ 250µA（最小）
11.5 nC @ 4.5 V
±12V
460 pF @ 15 V
-
2.5W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-4
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
600 : ¥190.87112
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
119A（Tc）
-
24 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 1mA
157 nC @ 18 V
+22V，-10V
3380 pF @ 400 V
-
565W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
HiP247™ 长引线
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。