单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 110A，10V52 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V130 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
890 pF @ 75 V11360 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
57W（Tc）370W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,325
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.24529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Tc）
8V，10V
52 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
1,477
现货
1 : ¥30.46000
剪切带（CT）
800 : ¥18.40269
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 110A，10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 4.5 V
±16V
11360 pF @ 50 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。