单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen VU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）10A（Ta）85.9A（Ta），350.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.47 毫欧 @ 20A，10V15.3 毫欧 @ 4A，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V29.9 nC @ 4.5 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V2600 pF @ 10 V8960 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）1W（Ta）6.25W（Ta），104.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）PowerPAK® SO-8SOT-523
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
340,931
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
44,758
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01990
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
1.5V，4.5V
15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
29.9 nC @ 4.5 V
±8V
2600 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK SO-8 Single
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Vishay Siliconix
6,976
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.83725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
85.9A（Ta），350.8A（Tc）
4.5V，10V
0.47 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
180 nC @ 10 V
+16V，-12V
8960 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。