单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
PowerTrench®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5 毫欧 @ 12A，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V3957 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）2.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）SOT-23-3
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
265,733
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA908PZ
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
onsemi
31,649
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.63141
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Ta）
1.8V，4.5V
12.5 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±8V
3957 pF @ 6 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。