单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

DMN62D1LFB-7B MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Diodes Incorporated	111,377 现货 3,470,000 工厂	1 : ¥3.20000 剪切带（CT） 10,000 : ¥0.47501 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	320mA（Ta）	1.5V，4V	2 欧姆 @ 100mA，4V	1V @ 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±20V	64 pF @ 25 V	-	500mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
TPH1R306P1,L1Q MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	18,471 现货	1 : ¥25.70000 剪切带（CT） 5,000 : ¥8.24059 卷带（TR）	U-MOSIX-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	100A（Tc）	4.5V，10V	1.28mOhm @ 50A，10V	2.5V @ 1mA	91 nC @ 10 V	±20V	8100 pF @ 30 V	-	960mW（Ta），170W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN