单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®, StrongIRFET™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）3.9A（Ta）13A（Ta）240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 100A，10V9.3 毫欧 @ 13A，10V31 毫欧 @ 5A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V96 nC @ 10 V315 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V3845 pF @ 15 V10250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）750mW（Ta）2.5W（Ta）245W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICD2PAK-7SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
245,430
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
33,616
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 5A，4.5V
850mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS6679AZ
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
21,778
现货
52,500
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±25V
3845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
IRFS7434TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Infineon Technologies
2,521
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
800 : ¥12.23466
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
240A（Tc）
6V，10V
1 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
315 nC @ 10 V
±20V
10250 pF @ 25 V
-
245W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。