单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microchip TechnologySTMicroelectronicsWolfspeed, Inc.
系列
-CoolMOS™ P7CoolSiC™G2R™MDmesh™ K5PolarPOWER MOS 8™Z-FET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
50 V950 V1000 V1050 V1200 V1500 V1700 V2500 V4500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Tc)130mA(Ta)200mA(Tc)800mA(Tc)1.4A(Tc)1.5A(Tc)2.4A(Tc)3A(Tc)4A(Tc)4.7A(Tc)4.9A(Tc)5.2A(Tc)6A(Tc)9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V10V12V,15V15V,18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
455 毫欧 @ 2A,18V750 毫欧 @ 4.5A,10V940 毫欧 @ 2.5A,20V1000毫欧 @ 1A,15V1.1 欧姆 @ 2A,20V1.2 欧姆 @ 2A,20V4.2 欧姆 @ 2A,10V7.3 欧姆 @ 1.5A,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 750mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V10 欧姆 @ 500mA,10V13 欧姆 @ 700mA,10V25 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA3.25V @ 100µA(典型值)3.5V @ 220µA4V @ 100µA4V @ 2mA4V @ 500µA4.5V @ 100µA4.5V @ 250µA4.5V @ 25µA4.5V @ 50µA5V @ 100µA5V @ 250µA5V @ 500µA5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 10 V5 nC @ 12 V5.3 nC @ 10 V5.3 nC @ 18 V6.9 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10.4 nC @ 10 V11 nC @ 20 V13 nC @ 20 V14 nC @ 10 V23 nC @ 10 V24.8 nC @ 10 V37 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-10V±20V+23V,-10V+23V,-7V+25V,-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V54 pF @ 25 V104 pF @ 25 V115 pF @ 100 V116 pF @ 25 V124 pF @ 100 V139 pF @ 1000 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1000 V191 pF @ 1000 V256 pF @ 25 V275 pF @ 1000 V333 pF @ 25 V666 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)25W(Tc)33W(Tc)50W(Tc)54W(Tc)60W(Tc)63W(Tc)68W(Tc)69W(Tc)73W(Tc)83W(Tc)86W(Tc)113W(Tc)125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7D3PAKDPAKH2PAK-2PG-TO247-3-41PG-TO252-3PG-TO263-7-13SOT-323TO-247-3TO-252AATO-263-7TO-263AATO-268AA
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片)TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果

显示
/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,846
现货
7,761,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
STMicroelectronics
5,005
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.90146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1050 V
1.5A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 750mA,10V
5V @ 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3
IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Littelfuse Inc.
20,540
现货
1 : ¥15.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
100mA(Tc)
10V
80 欧姆 @ 100mA,10V
4.5V @ 25µA
6.9 nC @ 10 V
±20V
54 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
H2PAK
STH2N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,912
现货
1 : ¥36.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥18.74955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
1.5A(Tc)
10V
10 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 100µA
5.3 nC @ 10 V
±30V
124 pF @ 100 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,035
现货
1 : ¥39.32000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.34800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.2A(Tc)
12V,15V
1000毫欧 @ 1A,15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V,-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,245
现货
1 : ¥93.35000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
4.9A(Tc)
20V
1.1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V,-10V
191 pF @ 1000 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-268
IXTT02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Littelfuse Inc.
2,365
现货
1 : ¥262.14000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
4500 V
200mA(Tc)
10V
750 欧姆 @ 10mA,10V
6.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO252-3
IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Infineon Technologies
3,848
现货
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.49123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
9A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 4.5A,10V
3.5V @ 220µA
23 nC @ 10 V
±20V
712 pF @ 400 V
-
73W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,227
现货
1 : ¥44.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
4.7A(Tc)
15V,18V
455 毫欧 @ 2A,18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V,-7V
182 pF @ 800 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-263AB
IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Littelfuse Inc.
450
现货
650
工厂
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
800mA(Tc)
10V
25 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 50µA
14 nC @ 10 V
±20V
333 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D3PAK
APT4F120S
MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
Microchip Technology
128
现货
1 : ¥40.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
4A(Tc)
10V
4.2 欧姆 @ 2A,10V
5V @ 500µA
43 nC @ 10 V
±30V
1385 pF @ 25 V
-
175W(Tc)
-
-
-
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
GA20JT12-263
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
12,489
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
3A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 2mA
-
+20V,-10V
139 pF @ 1000 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263AB
IXTA02N250HV
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Littelfuse Inc.
73
现货
1 : ¥98.52000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
200mA(Tc)
10V
450 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
116 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA3N150HV
MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥88.17000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
3A(Tc)
10V
7.3 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 250µA
38.6 nC @ 10 V
±30V
1375 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
300
工厂
查看交期
1 : ¥55.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
2.4A(Tc)
10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1207 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
2,500 : ¥8.70348
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
200mA(Tc)
10V
75 欧姆 @ 100mA,10V
4V @ 100µA
4.7 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3
IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
350
工厂
查看交期
350 : ¥20.98777
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
1.4A(Tc)
10V
13 欧姆 @ 700mA,10V
4.5V @ 100µA
24.8 nC @ 10 V
±30V
666 pF @ 25 V
-
86W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D2PAK-7
MSC750SMA170SA
MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK
Microchip Technology
0
现货
查看交期
150 : ¥37.68300
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
6A(Tc)
20V
940 毫欧 @ 2.5A,20V
3.25V @ 100µA(典型值)
11 nC @ 20 V
+23V,-10V
184 pF @ 1000 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片)
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。