单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）4.3A（Ta）10A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 10A，4.5V45 毫欧 @ 4A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V29 nC @ 6 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
634 pF @ 10 V808 pF @ 15 V3405 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）1.4W（Ta）2.4W（Ta）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）SOT-23-3
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
386,817
现货
3,130,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2045U-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
75,081
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-WDFN Exposed Pad
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
onsemi
4,537
现货
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.45833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10A（Ta）
1.8V，4.5V
16 毫欧 @ 10A，4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 6 V
±8V
3405 pF @ 6 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。