单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）17A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 31A，10V155 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.4V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V16 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540 pF @ 30 V1100 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）3W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPPG-TDSON-8 FL
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ISC015N04NM5
ISC058N04NM5ATMA1
40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Infineon Technologies
27,782
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.64766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17A（Ta），63A（Tc）
7V，10V
5.8 毫欧 @ 31A，10V
3.4V @ 13µA
16 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 20 V
-
3W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-SOP
TSM9409CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.5A 8SOP
Taiwan Semiconductor Corporation
71
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
45,000 : ¥2.39521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 3.5A，10V
1V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。