单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
aMOS5™EMDmesh™ K5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）13A（Tc）14A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.7 毫欧 @ 30A，10V340 毫欧 @ 7A，10V350 毫欧 @ 7.5A，10V380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V26 nC @ 10 V53 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
866 pF @ 100 V955 pF @ 100 V1093 pF @ 100 V14280 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
131W（Tc）156W（Tc）170W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Vishay Siliconix
4,758
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
800 : ¥17.33674
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
14280 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
1,309
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
800 : ¥6.89599
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
131W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Vishay Siliconix
246
现货
1 : ¥21.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
13A（Tc）
10V
350 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1093 pF @ 100 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2Pak
STB17N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
STMicroelectronics
481
现货
1 : ¥36.37000
剪切带（CT）
1,000 : ¥18.23316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
14A（Tc）
10V
340 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
866 pF @ 100 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。