单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™ C6DeepGATE™, STripFET™ VIMDmesh™ II Plus
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Tc）7.5A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 40A，10V600 毫欧 @ 3A，10V3.3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 40µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 10 V13.5 nC @ 10 V42 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
93 pF @ 100 V400 pF @ 100 V3100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
18.1W（Tc）85W（Tc）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3TO-220
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
4,810
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1.7A（Tc）
10V
3.3 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
18.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
STP105N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
STMicroelectronics
674
现货
1 : ¥8.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STMicroelectronics
4,881
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.09330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7.5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。