单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）101A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 10A，10V36 毫欧 @ 4A，10V44 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 10 V12 nC @ 10 V141 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
426 pF @ 30 V550 pF @ 10 V7458 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）2.8W（Ta）192W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
6-DFN（2x2）6-UDFNB（2x2）PowerPAK® 1212-8SLW
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® 1212-8SLW
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
76,788
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61443
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
426 pF @ 30 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-DFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
18,069
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS141ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
3,476
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.36498
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
101A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
7458 pF @ 25 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。