单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），60A（Tc）17A（Ta），100A（Tc）100A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 50A，10V4.1 毫欧 @ 19A，10V5.9 毫欧 @ 18A，10V15.6 毫欧 @ 12A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.7V @ 250µA3.3V @ 250µA3.8V @ 67µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V36 nC @ 10 V54 nC @ 10 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 30 V2750 pF @ 30 V3900 pF @ 40 V4870 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）3.2W（Ta），116W（Tc）66W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（3x3.3）8-VSONP（5x6）PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Texas Instruments
8,266
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.34365
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 18A，10V
2.3V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），116W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3AT
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Texas Instruments
7,935
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
250 : ¥7.93336
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
15.6 毫欧 @ 12A，4.5V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
12,721
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.24992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 67µA
54 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,935
现货
1 : ¥20.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.45085
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Ta）
6V，10V
4.1 毫欧 @ 19A，10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。