单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesQorvo
系列
-OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
120 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta），331A（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 150A，10V41 毫欧 @ 30A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 275µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37.8 nC @ 15 V141 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 400 V11000 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），395W（Tc）242W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-U01TO-247-4
封装/外壳
16-PowerSOP 模块TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4L
UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
524
现货
1 : ¥88.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
47A（Tc）
12V
41 毫欧 @ 30A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
1,550
现货
1 : ¥59.77000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.89442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
32A（Ta），331A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 150A，10V
3.6V @ 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3.8W（Ta），395W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。