单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA（Ta）3.8A（Ta）38A（Ta），70A（Tc）40A（Tc）40.2A（Ta），263A（Tc）41A（Ta），235A（Tc）46.8A（Ta），198A（Tc）50A（Tc）60A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 35A，10V1.3 毫欧 @ 50A，10V1.4 毫欧 @ 23A，10V1.9 毫欧 @ 25A，10V2.2 毫欧 @ 20A，10V2.8 毫欧 @ 20A，10V3.9 毫欧 @ 20A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V6.5 毫欧 @ 13A，10V6.6 毫欧 @ 20A，10V70 毫欧 @ 3.8A，10V550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V64 nC @ 4.5 V65 nC @ 10 V135 nC @ 10 V153 nC @ 10 V217 nC @ 4.5 V250 nC @ 10 V320 nC @ 10 V400 nC @ 10 V588 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 16 V336 pF @ 25 V1785 pF @ 20 V4300 pF @ 25 V4620 pF @ 15 V5125 pF @ 15 V8650 pF @ 15 V9000 pF @ 15 V13240 pF @ 15 V14300 pF @ 10 V14950 pF @ 15 V21850 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）1.08W（Ta）3.2W（Ta），195W（Tc）3.3W（Ta），138.9W（Tc）3.8W（Ta），128W（Tc）5W（Ta），34.7W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）5W（Ta），56.8W（Tc）6.2W（Ta），138W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）7.4W（Ta），132W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-DFN（5x6）8-VSON-CLIP（5x6）PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-523
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
17,696
现货
2,748,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
336 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,428
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71766
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
51,113
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84826
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1785 pF @ 20 V
-
5W（Ta），34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
CSD17573Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,394
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.61091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Ta）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 35A，10V
1.8V @ 250µA
64 nC @ 4.5 V
±20V
9000 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C426NT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
2,086
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.31811
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
PowerPAK SO-8
SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,750
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.94033
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
3.9 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
8650 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,022
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.27116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
2,795
现货
9,000
工厂
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.09459
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40.2A（Ta），263A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 23A，10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W（Ta），138.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
SOT-523
DMN2004TK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Diodes Incorporated
482,188
现货
384,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71836
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
PowerPAK SO-8
SIR403EDP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,967
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.94280
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 13A，10V
2.8V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±25V
4620 pF @ 15 V
-
5W（Ta），56.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8S
SIRS4401DP-T1-GE3
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
10,644
现货
1 : ¥25.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥12.64118
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
46.8A（Ta），198A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
588 nC @ 10 V
±20V
21850 pF @ 20 V
-
7.4W（Ta），132W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
3,000
现货
3,000 : ¥4.59530
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
38A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
320 nC @ 10 V
±20V
13240 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），138W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。