单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorMicrochip TechnologyNEC CorporationonsemiVishay Siliconix
包装
剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)200mA(Tc)230mA(Ta)270mA(Ta)280mA(Ta)320mA(Ta)320mA(Tj)400mA(Ta)500mA(Ta)530mA(Tj)600mA(Ta)650mA(Tj)900mA(Ta)1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2V,5V4V,10V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
330 毫欧 @ 3A,10V350 毫欧 @ 4A,10V400 毫欧 @ 500mA,10V500 毫欧 @ 3A,10V600 毫欧 @ 3A,10V600 毫欧 @ 600mA,10V1 欧姆 @ 1.5A,10V1.3 欧姆 @ 500mA,5V2 欧姆 @ 500mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V3.5 欧姆 @ 750mA,10V5 欧姆 @ 200mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 375mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1.5V @ 1mA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3.5V @ 10mA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
40 pF @ 10 V50 pF @ 25 V60 pF @ 10 V60 pF @ 25 V75 pF @ 25 V100 pF @ 18 V100 pF @ 25 V150 pF @ 25 V200 pF @ 20 V230 pF @ 10 V300 pF @ 25 V350 pF @ 25 V390 pF @ 25 V500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)400mW(Ta)625mW(Ta)700mW(Ta)740mW(Ta)740mW(Tc)830mW(Ta)850mW(Ta)1W(Tc)1.3W(Ta)750W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
4-HVMDIPTO-92TO-92-3
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
45,131
现货
10,000
工厂
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
130,939
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.43797
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-92-3 Formed Leads
2N7000-D74Z
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
20,059
现货
118,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
2,000 : ¥0.79533
带盒(TB)
-
剪切带(CT)
带盒(TB)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
28,017
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Tc)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3 Formed Leads
BS270-D74Z
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
onsemi
8,560
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
2,000 : ¥0.89672
带盒(TB)
-
剪切带(CT)
带盒(TB)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
44,200
现货
20,000
工厂
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
500mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
ZVN4206A
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,449
现货
1 : ¥5.99000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
600mA(Ta)
5V,10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
ZVNL110A
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,558
现货
1 : ¥6.16000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
320mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
BS170P
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,642
现货
4,000
工厂
1 : ¥6.40000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
270mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
ZVP2110A
MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,573
现货
28,000
工厂
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
230mA(Ta)
10V
8 欧姆 @ 375mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
1,462
现货
1 : ¥9.11000
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Tj)
5V,10V
3.5 欧姆 @ 750mA,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0702N3-G
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Microchip Technology
2,385
现货
1 : ¥12.48000
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Tj)
2V,5V
1.3 欧姆 @ 500mA,5V
1V @ 1mA
-
±20V
200 pF @ 20 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
ZVN4310A
MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,731
现货
16,000
工厂
1 : ¥12.73000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
900mA(Ta)
5V,10V
500 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
ZVN4306A
ZVN4306A
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Diodes Incorporated
1,724
现货
1 : ¥12.73000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.1A(Ta)
5V,10V
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP3203N3-G
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Microchip Technology
1,498
现货
1 : ¥15.19000
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
650mA(Tj)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 10mA
-
±20V
300 pF @ 25 V
-
740mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2210N3-G
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Microchip Technology
3,639
现货
1 : ¥20.44000
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Tj)
5V,10V
350 毫欧 @ 4A,10V
2.4V @ 10mA
-
±20V
500 pF @ 25 V
-
740mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
2,162
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
4V,10V
400 毫欧 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
230 pF @ 10 V
-
750W(Ta)
150°C
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
4-DIP
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
46,129
现货
1 : ¥12.40000
管件
-
管件
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1A(Ta)
10V
600 毫欧 @ 600mA,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
TO-92
ZVN4206AV
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
985
现货
1 : ¥5.99000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
600mA(Ta)
5V,10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
显示
/ 20

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。