单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™OptiMOS™ 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
-N 通道
漏源电压（Vdss）
15 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A（Ta），379A（Tc）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，7V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.45 毫欧 @ 30A，7V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 432µA-
Vgs（最大值）
±7V-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），89W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-1PG-TSON-8-5PG-WHTFN-9
封装/外壳
8-PowerTDFN9-PowerWDFN22-PowerBSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,890
现货
1 : ¥18.80000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.17250
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
15 V
58A（Ta），379A（Tc）
4.5V，7V
0.45 毫欧 @ 30A，7V
2V @ 432µA
55 nC @ 7 V
±7V
6240 pF @ 7.5 V
-
2.1W（Ta），89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-5
8-PowerTDFN
10,866
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
6,000 : ¥8.83479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
15 V
58A（Ta），379A（Tc）
4.5V，7V
0.45 毫欧 @ 30A，7V
2V @ 432µA
55 nC @ 7 V
±7V
6240 pF @ 7.5 V
-
2.1W（Ta），89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-WHTFN-9
9-PowerWDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥81.69000
剪切带（CT）
750 : ¥53.17567
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
MOSFET（金属氧化物）
600 V
-
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-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。