单 FET,MOSFET
结果 : 4
包装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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1,737 现货 | 1 : ¥74.30000 剪切带(CT) 2,000 : ¥39.48682 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 15.3A(Ta),137A(Tc) | 10V,15V | 6.2 毫欧 @ 126A,15V | 4.5V @ 251µA | 107 nC @ 10 V | ±20V | 7300 pF @ 100 V | - | 3.8W(Ta),300W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | PG-HSOF-8-1 | 8-PowerSFN | |||
988 现货 | 1 : ¥50.90000 剪切带(CT) 1,000 : ¥26.32203 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 11A(Ta),87A(Tc) | 10V,15V | 12 毫欧 @ 65A,15V | 4.5V @ 129µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 3800 pF @ 100 V | - | 3.8W(Ta),234W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-7-3 | TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片) | |||
815 现货 | 1 : ¥67.07000 剪切带(CT) 1,000 : ¥38.03069 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 15.4A(Ta),134A(Tc) | 10V,15V | 6.3 毫欧 @ 100A,15V | 4.5V @ 258µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 7400 pF @ 100 V | - | 3.8W(Ta),300W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | PG-TO263-3-2 | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
213 现货 | 1 : ¥67.81000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 200 V | 15.3A(Ta),136A(Tc) | 10V,15V | 6.3 毫欧 @ 100A,15V | 4.5V @ 258µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 7400 pF @ 100 V | - | 3.8W(Ta),300W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | PG-TO220-3-1 | TO-220-3 |
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