单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）72A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 20A，10V22 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 23µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2700 pF @ 30 V5380 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），50W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TSDSON-8-34
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,350
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.78219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4127TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Infineon Technologies
18,201
现货
1 : ¥28.98000
剪切带（CT）
800 : ¥17.49786
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
72A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 44A，10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。