单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）340mA500mA（Ta）2.4A（Tc）2.5A（Ta）2.9A（Ta）4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4A，4.5V88 毫欧 @ 500mA，8V110 毫欧 @ 2.2A，10V700 毫欧 @ 600mA，4.5V2 欧姆 @ 500mA，10V3 欧姆 @ 1.4A，10V4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.913 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-12V±6V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V40 pF @ 10 V189 pF @ 10 V360 pF @ 25 V634 pF @ 10 V715 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW150mW（Ta）350mW（Ta）500mW（Ta）800mW（Ta）2.5W（Ta），42W（Tc）
供应商器件封装
3-PICOSTARDPAKSC-75ASOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-723
封装/外壳
3-XFDFNSC-75，SOT-416SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
816,375
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
155,857
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18637
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
3-Picostar
CSD25481F4
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
68,123
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.55299
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
88 毫欧 @ 500mA，8V
1.2V @ 250µA
0.913 nC @ 4.5 V
-12V
189 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT 23
SI2321-TP
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Micro Commercial Co
20,348
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Ta）
4.5V
110 毫欧 @ 2.2A，10V
900mV @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
715 pF @ 6 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 723
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
Micro Commercial Co
5,583
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.58292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA
4.5V，10V
4 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-23-3
DMP2045UQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
33,629
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85546
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
D-PAK (TO-252AA)
IRFR420TRPBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Vishay Siliconix
5,192
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.20256
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2.4A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1.4A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。