单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）31A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
371.3 pF @ 15 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
760mW（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
26,943
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMG2307L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Diodes Incorporated
102,275
现货
546,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68119
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
371.3 pF @ 15 V
-
760mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。