单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
CoolMOS™ C6HiPerFET™, Ultra X3
漏源电压（Vdss）
250 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
83.2A（Tc）120A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 60A，10V37 毫欧 @ 33.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 3.3mA4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
122 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7240 pF @ 100 V7870 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500W（Tc）520W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-268AA
封装/外壳
TO-247-3TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Infineon Technologies
50
现货
1 : ¥96.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
83.2A（Tc）
10V
37 毫欧 @ 33.1A，10V
3.5V @ 3.3mA
330 nC @ 10 V
±20V
7240 pF @ 100 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-263
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Littelfuse Inc.
0
现货
1,530
工厂
查看交期
1 : ¥116.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
120A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 60A，10V
4.5V @ 4mA
122 nC @ 10 V
±20V
7870 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。