单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 6PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）21A（Ta），72A（Tc）21A（Ta），98A（Tc）27A（Ta），40A（Tc）33A（Ta），100A（Tc）37A（Ta），100A（Tc）40A（Ta），100A（Tc）110A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.95 毫欧 @ 30A，10V1.05 毫欧 @ 50A，10V1.5 毫欧 @ 30A，10V1.8 毫欧 @ 20A，10V3.2 毫欧 @ 50A，10V3.7 毫欧 @ 30A，10V5.9 毫欧 @ 50A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V15 nC @ 10 V25 nC @ 10 V30 nC @ 10 V31 nC @ 10 V49 nC @ 10 V87 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
298 pF @ 15 V830 pF @ 20 V960 pF @ 15 V1800 pF @ 20 V2000 pF @ 12 V2700 pF @ 20 V3200 pF @ 12 V6200 pF @ 20 V11400 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.5W（Ta），139W（Tc）2.5W（Ta），30W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），52W（Tc）2.5W（Ta），74W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）3W（Ta），38W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-FLSOT-23-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,136
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
37,714
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.40955
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 20 V
-
3W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Infineon Technologies
12,548
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.59603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），98A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
63,945
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-Power TDFN
BSC0504NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Infineon Technologies
21,907
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.94926
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），72A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
960 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC015NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Infineon Technologies
12,612
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.85199
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
33A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±16V
2000 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ018N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Infineon Technologies
2,999
现货
1 : ¥17.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.31710
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
1.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Infineon Technologies
5,894
现货
1 : ¥17.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.80102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
40A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.95 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±16V
3200 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
13,971
现货
1 : ¥23.56000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.02166
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
37A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1.05 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 20 V
肖特基二极管（体）
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。